Nehodí sa? Žiadny problém! U nás môžete do 30 dní vrátiť
S darčekovým poukazom nešliapnete vedľa. Obdarovaný si za darčekový poukaz môže vybrať čokoľvek z našej ponuky.
30 dní na vrátenie tovaru
This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy.