Doprava zdarma pre objednávky nad 59,99 € s Packetou a SPS Boxmi.

Zistiť stav objednávky

Staňte sa súčasťou komunity milovníkov kníh z celého sveta a získajte hromadu výhod. Založiť účet zdarma

Doprava zadarmo s Packetou nad 59.99 €

SPS 3.99 € Kuriér DPD 2.99 € Kuriér GLS 3.99 € Zberné miesto DPD 2.99 € Zberné miesto GLS 2.49 € SPS Parcel Shop 2.99 € Packeta 2.99 € Packeta kurýr 3.99 € Slovenská pošta 3.99 €

Kontakt

Ako nakupovať

Pomoc

Môj účet

▸ Prázdny :-(

Doprava zdarma pre objednávky nad 59,99 € s Packetou a SPS Boxmi.

Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs

Name: Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs
Brand: LAP LAMBERT Academic Publishing
SKU: 43849778
Price: 39.07 EUR
Availability: InStock
Author: Swapnadip De
ISBN: 9786206739814

Swapnadip De

Jazyk

Angličtina

Kniha Brožovaná

Libristo kód: 43849778

Nakladateľstvo LAP LAMBERT Academic Publishing, júl 2023

In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel... Celý popis

Libristo kód: 43849778

95 b

39.07 €

Skladom u dodávateľa Odosielame za 8-11 dní

Až 30 dní na vrátenie tovaru

Zákazníci tiež kúpili

OM Guitar Stevin McNamara

Audio CD

17.82 €

Management geriatrischer Patienten in der konservierenden Zahnmedizin und Endodontie Deepika Ghai

Brožovaná

44.31 €

Božská kuchařka 2 Alena Kolaříková

Pevná

11.98 €

Erfahrung Jakobsweg Paul Barthel Schmitter

Brožovaná

10.77 €

Tanguy und Laverdure Collector's Edition 01 Jean-Michel Charlier

Pevná

32.72 €

El tercio que nunca existió JOSE JAVIER ESPARZA

Brožovaná

25.98 €

Mark Seliger Mark Seliger

Brožovaná

27.29 €

Sekretny język komunikacji. Jak odczytywać i przekazywać sygnały werbalne i niewerbalne Vanessa Van Edwards

Brožovaná

15.60 €

Bleach - Bring mich nicht um mein Vergnügen Tite Kubo

Brožovaná

7.24 €

Lebensform Universitat Klaus Kruger

Adobe ePub DRM

114.01 €

Der Maschinenbau gibt sich eine neue Strategie R Reuter

Brožovaná

9.06 €

Tratado SER de Diagnóstico y Tratamiento de Enfermedades Autoinmunes Sistémicas (Incluye acceso a eB Sociedad Española de Reumatología

Kniha

103.33 €

Escala Auxiliar Administrativa de la Universidad de Salamanca. Temario

Brožovaná

83.89 €

Decisiones Maialen Alonso

Brožovaná

15.80 €

Angličtina pro 4.ročník základní školy Marie Zahálková

Brožovaná

7.75 €

Primi esercizi inglese di lettura comprensione del testo in lingua English Italiano Ungherese: Un programma stimolare e potenziare le abilit? di lettu Erick Leonardel

Brožovaná

12.58 €

la basura que nadie quiere: para parejas Marvin Capacho

Brožovaná

7.44 €

Technik des Dramas Gustav Freytag

Brožovaná

23.16 €

Peygamber Yolu Oyunu Kolektif

Brožovaná

8.15 €

Meine Jugend hat spät begonnen Henry Miller

Brožovaná

12.58 €

In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and Gaussian profile based SHDMG and DHDMG n-MOSFETs operating up to 40nm regime. A quasi-Fermi potential based analytical sub threshold drain current model for linear as well as Gaussian profile based SHDMG and DHDMG MOS transistor, incorporating the fringing fields at the two ends of the device is also proposed.