Doprava zdarma pre objednávky nad 59,99 € s Packetou a SPS Boxmi.

Zistiť stav objednávky

Staňte sa súčasťou komunity milovníkov kníh z celého sveta a získajte hromadu výhod. Založiť účet zdarma

Doprava zadarmo s Packetou nad 59.99 €

Kuriér DPD 2.99 € Kuriér GLS 3.99 € Zberné miesto GLS 2.49 € SPS 3.99 € SPS Parcel Shop 2.99 € Packeta kurýr 3.99 € Slovenská pošta 3.99 € Zberné miesto DPD 2.99 € Packeta 2.99 €

Kontakt

Ako nakupovať

Pomoc

Môj účet

▸ Prázdny :-(

Doprava zdarma pre objednávky nad 59,99 € s Packetou a SPS Boxmi.

Materials, Technology and Reliability for Advanced Interconnects and Low-K Dielectrics: Volume 612

Name: Materials, Technology and Reliability for Advanced Interconnects and Low-K Dielectrics: Volume 612
Brand: Materials Research Society
SKU: 02060248
Price: 35.8 EUR
Availability: InStock
Author: G. S. OehrleinK. MaexY. -C. JooS. Ogawa
ISBN: 9781558995208

G. S. OehrleinK. MaexY. -C. JooS. Ogawa

Jazyk

Angličtina

Kniha Pevná

Libristo kód: 02060248

Nakladateľstvo Materials Research Society, apríl 2001

This book highlights important achievements and challenges in advanced interconnects and low-k diele... Celý popis

Libristo kód: 02060248

87 b

35.80 €

50 % šanca Prehľadáme celý svet Kedy knihu dostanem?

Až 30 dní na vrátenie tovaru

Zákazníci tiež kúpili

Tunnels T02 Profondeurs Roderick Gordon

Brožovaná

18.65 €

Protokolle des Ministerrates der Ersten Republik VIII, Kabinett Dr..... Bd.4 Rudolf Neck

Pevná

91.70 €

Recueil de Poésies - Tome 2 François Charles

Brožovaná

17.85 €

Comprensió lectora, 1 ESO Margarita Recasens Estrada

Brožovaná

14.11 €

Las tauromaquias europeas : la forma y la historia, un enfoque antropológico Frédéric Saumade

Brožovaná

12.90 €

Lokale Agenda 21 - Deutschland A. Merkel

Brožovaná

51.74 €

Kundenzeitschriften in der Unternehmenskommunikation Liudmila Flad

Brožovaná

40.04 €

This book highlights important achievements and challenges in advanced interconnects and low-k dielectrics as employed in the microelectronics industry. The replacement of Al alloys with Cu along with the introduction of new barrier materials to protect Cu from chemical attack, and the utilization of new dielectric materials with a lower relative dielectric constant k than SiO2 in multilevel metallization structures of increasing complexity, are the major themes of evolution in this field. Invited reviews illustrate the significant progress that has been achieved as well as the challenges that remain. Contributed papers presented by researchers from different countries demonstrate progress on current topics using a truly multidisciplinary approach.