Doprava zdarma pre objednávky nad 59,99 € s Packetou a SPS Boxmi.

Zistiť stav objednávky

Staňte sa súčasťou komunity milovníkov kníh z celého sveta a získajte hromadu výhod. Založiť účet zdarma

Doprava zadarmo s Packetou nad 59.99 €

Kuriér DPD 2.99 € Zberné miesto GLS 2.49 € SPS 3.99 € SPS Parcel Shop 2.99 € Packeta kurýr 3.99 € Pošta 3.99 € Zberné miesto DPD 2.99 € Kuriér GLS 3.99 € Packeta 2.99 €

Kontakt

Ako nakupovať

Pomoc

Môj účet

▸ Prázdny :-(

Doprava zdarma pre objednávky nad 59,99 € s Packetou a SPS Boxmi.

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Name: Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells
Brand: Dissertation Discovery Company
SKU: 22569086
Price: 85.22 EUR
Availability: InStock
Author: MUHAMMED SHIBIB
ISBN: 9780530008134

MUHAMMED SHIBIB

Jazyk

Angličtina

Kniha Pevná

Libristo kód: 22569086

Nakladateľstvo Dissertation Discovery Company, máj 2019

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the... Celý popis

Libristo kód: 22569086

206 b

85.22 €

Skladom u dodávateľa Odosielame za 9-15 dní

Až 30 dní na vrátenie tovaru

Zákazníci tiež kúpili

Hello Kitty-Cartes à gratter

Kniha

10.02 €

Influencia. La psicología de la persuasión ROBERT CIALDINI

Brožovaná

16.21 €

Ravensburger Puzzle 12000797 - Willkommen beim Zirkus - 1500 Teile Puzzle für Erwachsene und Kinder ab 14 Jahren

Hra

19.95 €

Fall inga tarar Suneson

MP3

6.37 €

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The